場效應(yīng)晶體管IPA60R125P6 品牌：INFINEON/英飛凌
產(chǎn)品規(guī)格：
FET 類型：N 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：600V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：30A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：4.5V @ 960μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值）：56nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：2660pF @ 100V
Vgs（最大值）：±20V
功率耗散（最大值）：34W（Tc）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值）：125 毫歐 @ 11.6A，10V
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：通孔
供應(yīng)商器件封裝：PG-TO-220-FP
封裝/外殼：TO-220-3 整包
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【庫存優(yōu)勢貨源】
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IPA60R380P6
IPA60R125P6
